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TP0606N3-G-P003 - Microchip Technology

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-TP0606N3-G-P003

Hersteller Teil #: TP0606N3-G-P003

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: Microchip Technology

Beschreibung: MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-60V,3.5 Ohm3 TO-92T/R

Verpackung: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

TP0606N3-G-P003 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

6 Weeks

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Number of Pins

Weight

453.59237mg

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

320mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

1W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Published

2011

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Terminal Position

BOTTOM

Number of Channels

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Turn On Delay Time

10 ns

FET Type

P-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 Ω @ 750mA, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V

Rise Time

15ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

15 ns

Continuous Drain Current (ID)

320mA

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain to Source Breakdown Voltage

-60V

Height

5.33mm

Length

5.21mm

Width

4.19mm

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
TP0606N3-G-P003	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-60V,3.5 Ohm3 TO-92T/R
VN10LP	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
ZVN3306A	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
BS170P	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	DIODES INC. BS170P MOSFET Transistor, N Channel, 270 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
BS270-D74Z	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	MOSFET Transistor, N Channel, 400 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V

TP0606N3-G-P003 Preis
TP0606N3-G-P003 Verteilers
TP0606N3-G-P003 Hersteller
TP0606N3-G-P003 Technische Daten
TP0606N3-G-P003 PDF
TP0606N3-G-P003 Datenblätter
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-60V,3.5 Ohm3 TO-92T/R

Verpackung: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 21 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 0.51091

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.51091
10+:	$0.48199
100+:	$0.45471
500+:	$0.42897
1000+:	$0.40469

Zwischensumme: $0.51091

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